maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N6123
Référence fabricant | 2N6123 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N6123 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6123 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 40W |
Fréquence - Transition | 2.5MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6123 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6123-FT |
MMBT3904LP-7
Diodes Incorporated
MMBT3906LP-7
Diodes Incorporated
DSS2540M-7B
Diodes Incorporated
MMBT3906LP-7B
Diodes Incorporated
DSS3515M-7B
Diodes Incorporated
2DC4617QLP-7B
Diodes Incorporated
BC847BLP-7B
Diodes Incorporated
2DC4617QLP-7
Diodes Incorporated
BC847BLP-7
Diodes Incorporated
BC857BLP-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel