maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N6111G
Référence fabricant | 2N6111G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N6111G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6111G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 7A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3A, 4V |
Puissance - Max | 40W |
Fréquence - Transition | 10MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6111G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6111G-FT |
MJW1302A
ON Semiconductor
MJW21191
ON Semiconductor
MJW21191G
ON Semiconductor
MJW21192
ON Semiconductor
MJW21192G
ON Semiconductor
MJW21193
ON Semiconductor
MJW21194
ON Semiconductor
MJW21195
ON Semiconductor
MJW21196
ON Semiconductor
MJW3281A
ON Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel