maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N6076
Référence fabricant | 2N6076 |
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Numéro de pièce future | FT-2N6076 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6076 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6076 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6076-FT |
ZTX795A
Diodes Incorporated
ZTX795ASTZ
Diodes Incorporated
ZTX851STZ
Diodes Incorporated
ZTX855STZ
Diodes Incorporated
ZTX949STZ
Diodes Incorporated
ZTX953STZ
Diodes Incorporated
ZTX956STZ
Diodes Incorporated
ZTX958STZ
Diodes Incorporated
ZTX968STZ
Diodes Incorporated
ZTX849
Diodes Incorporated
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation