maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5655G
Référence fabricant | 2N5655G |
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Numéro de pièce future | FT-2N5655G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5655G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA, 10mV |
Puissance - Max | 20W |
Fréquence - Transition | 10MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-225AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5655G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5655G-FT |
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