maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5551ZL1G
Référence fabricant | 2N5551ZL1G |
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Numéro de pièce future | FT-2N5551ZL1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5551ZL1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5551ZL1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5551ZL1G-FT |
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