maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5551_J05Z
Référence fabricant | 2N5551_J05Z |
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Numéro de pièce future | FT-2N5551_J05Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5551_J05Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5551_J05Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5551_J05Z-FT |
ZTX751STZ
Diodes Incorporated
ZTX753STZ
Diodes Incorporated
ZTX757STZ
Diodes Incorporated
ZTX758
Diodes Incorporated
ZTX788A
Diodes Incorporated
ZTX790ASTZ
Diodes Incorporated
ZTX795A
Diodes Incorporated
ZTX795ASTZ
Diodes Incorporated
ZTX851STZ
Diodes Incorporated
ZTX855STZ
Diodes Incorporated
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel