maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5210
Référence fabricant | 2N5210 |
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Numéro de pièce future | FT-2N5210 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5210 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Puissance - Max | 350mW |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5210 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5210-FT |
ZUMT617TA
Diodes Incorporated
ZUMT617TC
Diodes Incorporated
ZUMT618TC
Diodes Incorporated
ZUMT717TC
Diodes Incorporated
ZUMT718TC
Diodes Incorporated
ZUMT720TC
Diodes Incorporated
ZXT14P12DXTA
Diodes Incorporated
ZXT14P40DXTA
Diodes Incorporated
APT13005SI-G1
Diodes Incorporated
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel