maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N5115UB
Référence fabricant | 2N5115UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N5115UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
2N5115UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 30V |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 60mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 6V @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | 100 Ohms |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5115UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5115UB-FT |
TF414T5G
ON Semiconductor
TF412ST5G
ON Semiconductor
NSVJ6904DSB6T1G
ON Semiconductor
MCH3914-8-TL-H
ON Semiconductor
PMBF4393,215
NXP USA Inc.
PMBFJ177,215
NXP USA Inc.
PMBFJ110,215
NXP USA Inc.
PMBF4391,215
NXP USA Inc.
PMBFJ109,215
NXP USA Inc.
PMBFJ309,215
NXP USA Inc.
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP4CE30F23I8L
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A54SX08A-TQ100I
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A3P125-FGG144I
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M1AGL600V5-FGG256
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LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
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