maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5015S
Référence fabricant | 2N5015S |
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Numéro de pièce future | FT-2N5015S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/727 |
2N5015S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1000V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 5mA, 20mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5015S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5015S-FT |
2N2222AE4
Microsemi Corporation
2N2222AL
Microsemi Corporation
2N5962
Central Semiconductor Corp
JAN2N2222AUB
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
SZT1010T1G
ON Semiconductor
500-00001
Parallax Inc.
2N327A
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
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5SGXEA3K2F40C2N
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EP4SGX530HH35C3NES
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XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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