maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2N4957UB
Référence fabricant | 2N4957UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4957UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gain | 25dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX64-FTQG64
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG484T
Microsemi Corporation
A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PC84I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQI240-2N
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