maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2N4957UB
Référence fabricant | 2N4957UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4957UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gain | 25dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX08-2TQ144
Microsemi Corporation
EPF10K10ATI144-3N
Intel
XC2VP4-5FGG256C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX08A-FG144
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3C25U256I7
Intel
XC5VFX70T-2FFG665C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40I2SG
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