maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2N4957UB
Référence fabricant | 2N4957UB |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4957UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gain | 25dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel