maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2N4957UB
Référence fabricant | 2N4957UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4957UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gain | 25dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1X
Intel
A54SX08A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2SG
Intel
5SGXEA4H2F35I2LN
Intel
XC5VLX110-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4
Intel
EPF10K50VQC240-3AA
Intel