maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N4922G
Référence fabricant | 2N4922G |
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Numéro de pièce future | FT-2N4922G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4922G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 500mA, 1V |
Puissance - Max | 30W |
Fréquence - Transition | 3MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-225AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4922G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4922G-FT |
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XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel