maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N4449
Référence fabricant | 2N4449 |
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Numéro de pièce future | FT-2N4449 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4449 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 360mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-46 (TO-206AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4449 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4449-FT |
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A3PE600-1FG484I
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Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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