maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N4393-E3
Référence fabricant | 2N4393-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-2N4393-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4393-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 20V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 500mV @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
Résistance - RDS (On) | 100 Ohms |
Puissance - Max | 1.8W |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-206AA (TO-18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4393-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4393-E3-FT |
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
PMBFJ113,215
NXP USA Inc.
PMBFJ174,215
NXP USA Inc.
PMBFJ175,215
NXP USA Inc.
PMBFJ176,215
NXP USA Inc.
PMBFJ310,215
NXP USA Inc.
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-1PQ100I
Microsemi Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7N
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115N3F45I2SG
Intel