maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N4339
Référence fabricant | 2N4339 |
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Numéro de pièce future | FT-2N4339 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4339 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 50V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 500µA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 600mV @ 100nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | - |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-206AA (TO-18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4339 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4339-FT |
BFR31,215
NXP USA Inc.
BFR31,235
NXP USA Inc.
BFR30,215
NXP USA Inc.
BFR30,235
NXP USA Inc.
BFT46,215
NXP USA Inc.
BSR56,215
NXP USA Inc.
BSR57,215
NXP USA Inc.
BSR58,215
NXP USA Inc.
PMBF4392,215
NXP USA Inc.
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
XA7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
EP3C10U256I7N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
EP2SGX60EF1152I4
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL400V2-CS196I
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FGG144
Microsemi Corporation
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation