maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N4339-E3
Référence fabricant | 2N4339-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-2N4339-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4339-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 50V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 500µA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 600mV @ 100nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | - |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-206AA (TO-18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4339-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4339-E3-FT |
BFR30,215
NXP USA Inc.
BFR30,235
NXP USA Inc.
BFT46,215
NXP USA Inc.
BSR56,215
NXP USA Inc.
BSR57,215
NXP USA Inc.
BSR58,215
NXP USA Inc.
PMBF4392,215
NXP USA Inc.
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
EP2C20F484I8
Intel
5SGXEA5K1F35C2N
Intel
5SGXMA5H3F35C3N
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
A42MX16-PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F40E1SG
Intel