maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N4339-E3
Référence fabricant | 2N4339-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N4339-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4339-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 50V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 500µA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 600mV @ 100nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | - |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-206AA (TO-18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4339-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4339-E3-FT |
BFR30,215
NXP USA Inc.
BFR30,235
NXP USA Inc.
BFT46,215
NXP USA Inc.
BSR56,215
NXP USA Inc.
BSR57,215
NXP USA Inc.
BSR58,215
NXP USA Inc.
PMBF4392,215
NXP USA Inc.
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AQC
Microchip Technology
5AGXMA3D4F27C4G
Intel
5SGXMB6R3F43C2N
Intel
5SGXMA3K1F35I2N
Intel
EP2SGX90EF1152I4N
Intel
A1010B-PL44I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel