maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N4339-E3
Référence fabricant | 2N4339-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-2N4339-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N4339-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 50V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 500µA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 600mV @ 100nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | - |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-206AA (TO-18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4339-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N4339-E3-FT |
BFR30,215
NXP USA Inc.
BFR30,235
NXP USA Inc.
BFT46,215
NXP USA Inc.
BSR56,215
NXP USA Inc.
BSR57,215
NXP USA Inc.
BSR58,215
NXP USA Inc.
PMBF4392,215
NXP USA Inc.
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
LCMXO1200C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3CSG484C
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG484M
Microsemi Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
EPF10K30BC356-4
Intel
EPF10K50VRC240-2N
Intel