maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3879
Référence fabricant | 2N3879 |
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Numéro de pièce future | FT-2N3879 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
2N3879 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3879 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3879-FT |
2N1016D
Microsemi Corporation
2N1479
Microsemi Corporation
2N1481
Microsemi Corporation
2N1482
Microsemi Corporation
2N1483
Microsemi Corporation
2N1484
Microsemi Corporation
2N1485
Microsemi Corporation
2N1486
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
2N1701
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel