maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3867S
Référence fabricant | 2N3867S |
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Numéro de pièce future | FT-2N3867S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
2N3867S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3867S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3867S-FT |
ZXTP2012ZQTA
Diodes Incorporated
2N1016B
Microsemi Corporation
2N1016C
Microsemi Corporation
2N1016D
Microsemi Corporation
2N1479
Microsemi Corporation
2N1481
Microsemi Corporation
2N1482
Microsemi Corporation
2N1483
Microsemi Corporation
2N1484
Microsemi Corporation
2N1485
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100C
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XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
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LIF-MD6000-6MG81I
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LFE5UM-25F-6BG381C
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10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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10AX115R3F40I2SGES
Intel