maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3867S
Référence fabricant | 2N3867S |
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Numéro de pièce future | FT-2N3867S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
2N3867S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3867S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3867S-FT |
ZXTP2012ZQTA
Diodes Incorporated
2N1016B
Microsemi Corporation
2N1016C
Microsemi Corporation
2N1016D
Microsemi Corporation
2N1479
Microsemi Corporation
2N1481
Microsemi Corporation
2N1482
Microsemi Corporation
2N1483
Microsemi Corporation
2N1484
Microsemi Corporation
2N1485
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel