maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3646
Référence fabricant | 2N3646 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N3646 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N3646 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 350MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-106-3 Domed |
Package d'appareils du fournisseur | TO-106 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3646 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3646-FT |
2N657
Microsemi Corporation
2N6648
Microsemi Corporation
2N6649
Microsemi Corporation
2N6650
Microsemi Corporation
2N6673
Microsemi Corporation
2N6674
Microsemi Corporation
2N6675
Microsemi Corporation
2N6676
Microsemi Corporation
2N6678
Microsemi Corporation
2N6678T1
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel