maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3637UB
Référence fabricant | 2N3637UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N3637UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N3637UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3637UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3637UB-FT |
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N2906A
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Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
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