maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3637L
Référence fabricant | 2N3637L |
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Numéro de pièce future | FT-2N3637L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N3637L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3637L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3637L-FT |
2SC2881-O-TP
Micro Commercial Co
BCX41QTA
Diodes Incorporated
DXT651Q-13
Diodes Incorporated
DXT751Q-13
Diodes Incorporated
FZT491AQTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
MMS8050-H-TP
Micro Commercial Co
MMS8050-L-TP
Micro Commercial Co
MMS8550-H-TP
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MMS8550-L-TP
Micro Commercial Co
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
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5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
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EP1C4F400I7N
Intel