maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N1613
Référence fabricant | 2N1613 |
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Numéro de pièce future | FT-2N1613 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N1613 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | 3W |
Fréquence - Transition | 60MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N1613 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N1613-FT |
DCP54-16-13
Diodes Incorporated
DCP56-13
Diodes Incorporated
DCP56-16-13
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Diodes Incorporated
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EX128-PTQG100I
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XC2V500-4FGG456C
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10CL006YE144C8G
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XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation