maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2DB1188R-13
Référence fabricant | 2DB1188R-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2DB1188R-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2DB1188R-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 3V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-89-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2DB1188R-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2DB1188R-13-FT |
ZXTN4002ZTA
Diodes Incorporated
2DA1201YQTC
Diodes Incorporated
ZXTP4003GTA
Diodes Incorporated
ZXTN10150DZTA
Diodes Incorporated
BCX5616TA
Diodes Incorporated
ZXTN2011ZTA
Diodes Incorporated
BCV49TA
Diodes Incorporated
DNLS350Y-13
Diodes Incorporated
DPLS350Y-13
Diodes Incorporated
FCX558TA
Diodes Incorporated
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel