maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2DB1182Q-13
Référence fabricant | 2DB1182Q-13 |
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Numéro de pièce future | FT-2DB1182Q-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2DB1182Q-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
Puissance - Max | 10W |
Fréquence - Transition | 110MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2DB1182Q-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2DB1182Q-13-FT |
FMMT415TC
Diodes Incorporated
FMMT417TA
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FMMT417TC
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FMMT459TC
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FMMT493ATC
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EP1C3T144I7N
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XC3042-100PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256I
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