maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2A8
Référence fabricant | 2A8 |
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Numéro de pièce future | FT-2A8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2A8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 21V |
Fréquence - Transition | 2GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 7dB ~ 9dB |
Puissance - Max | 5.3W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 55EU |
Package d'appareils du fournisseur | 55EU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2A8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2A8-FT |
MRF455
M/A-Com Technology Solutions
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81
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AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel