Référence fabricant | 2A07-T |
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Numéro de pièce future | FT-2A07-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2A07-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-15 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2A07-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2A07-T-FT |
B130B-13
Diodes Incorporated
B130LB-13
Diodes Incorporated
B140B-13
Diodes Incorporated
B140HB-13
Diodes Incorporated
B150B-13
Diodes Incorporated
B160B-13
Diodes Incorporated
B170B-13
Diodes Incorporated
B180B-13
Diodes Incorporated
B2100-13
Diodes Incorporated
B220-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel