maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 25AA640AT-E/MNY
Référence fabricant | 25AA640AT-E/MNY |
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Numéro de pièce future | FT-25AA640AT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
25AA640AT-E/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25AA640AT-E/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 25AA640AT-E/MNY-FT |
LE25U20AQGW00TXG
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