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Référence fabricant | 25AA512T-I/SM |
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Numéro de pièce future | FT-25AA512T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
25AA512T-I/SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 20MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25AA512T-I/SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 25AA512T-I/SM-FT |
GD25LQ16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIG
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GD25LQ32DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel