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Référence fabricant | 24LC512T-E/SM |
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Numéro de pièce future | FT-24LC512T-E/SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24LC512T-E/SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC512T-E/SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24LC512T-E/SM-FT |
GD25LQ05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel