maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 24LC128T-E/MNY
Référence fabricant | 24LC128T-E/MNY |
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Numéro de pièce future | FT-24LC128T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24LC128T-E/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC128T-E/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24LC128T-E/MNY-FT |
W25Q256JVEIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JVZPIQ TR
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W25Q32JWZPIQ
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W25Q64FWZPIG TR
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W25Q64JVZEIM
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W25Q64JVZEIQ
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W25Q64JVZEIQ TR
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W25Q64JVZPIQ TR
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XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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