maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 24LC08BT-I/MNY
Référence fabricant | 24LC08BT-I/MNY |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-24LC08BT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24LC08BT-I/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (256 x 8 x 4) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC08BT-I/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24LC08BT-I/MNY-FT |
W25Q256JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVEIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32JWZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q64JVZEIM
Winbond Electronics
W25Q64JVZEIM TR
Winbond Electronics
W25Q64JVZEIQ
Winbond Electronics
W25Q64JVZEIQ TR
Winbond Electronics
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel