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Référence fabricant | 24LC08BT-I/MNY |
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Numéro de pièce future | FT-24LC08BT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24LC08BT-I/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (256 x 8 x 4) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC08BT-I/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24LC08BT-I/MNY-FT |
W25Q256JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVEIQ TR
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W25Q32JVZPIQ TR
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W25Q32JWZPIQ
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W25Q64JVZEIM
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W25Q64JVZEIQ
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W25Q64JVZEIQ TR
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XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
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XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel