maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 24AA64T-E/MNY
Référence fabricant | 24AA64T-E/MNY |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-24AA64T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24AA64T-E/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA64T-E/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24AA64T-E/MNY-FT |
M24C32-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95080-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95128-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95160-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95320-DRMC6TG
STMicroelectronics
M95640-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25M02GVZEIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVZEIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ
Winbond Electronics
W25M512JVEIQ TR
Winbond Electronics
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation