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Référence fabricant | 2309-H-RC |
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Numéro de pièce future | FT-2309-H-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 2300 |
2309-H-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 47µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 10.7A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 16 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.280" Dia (32.51mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.650" (16.51mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2309-H-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2309-H-RC-FT |
2210-V
Bourns Inc.
2211-V
Bourns Inc.
2212-V
Bourns Inc.
2213-V
Bourns Inc.
2214-V
Bourns Inc.
2215-V
Bourns Inc.
2216-V
Bourns Inc.
2217-V
Bourns Inc.
2218-V
Bourns Inc.
2219-V
Bourns Inc.
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel