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Référence fabricant | 2112-H-RC |
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Numéro de pièce future | FT-2112-H-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 2100 |
2112-H-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 2.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Horizontal (Open) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.860" Dia x 0.450" W (21.84mm x 11.43mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2112-H-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2112-H-RC-FT |
2206-V
Bourns Inc.
2207-V
Bourns Inc.
2208-V
Bourns Inc.
2209-V
Bourns Inc.
2210-V
Bourns Inc.
2211-V
Bourns Inc.
2212-V
Bourns Inc.
2213-V
Bourns Inc.
2214-V
Bourns Inc.
2215-V
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel