maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 20ETS12S
Référence fabricant | 20ETS12S |
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Numéro de pièce future | FT-20ETS12S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
20ETS12S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 20A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETS12S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 20ETS12S-FT |
VS-8TQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel