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Référence fabricant | 20ETF12FP |
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Numéro de pièce future | FT-20ETF12FP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
20ETF12FP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.31V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC Full Pack |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF12FP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 20ETF12FP-FT |
1N5815R
Microsemi Corporation
1N5816
Microsemi Corporation
1N5816R
Microsemi Corporation
1N5817A-01
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1N5819HW-13
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1N5819UR-1/TR
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1N5820-A
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1N5821-A
Diodes Incorporated
1N6073US
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1N6076US
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
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A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel