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Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F

Numéro de pièce MFG
1SS367,H3F
quantité disponible
23190 Pièces
Prix de référence
USD 0.0276
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
1SS367,H3F.pdf
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1SS367,H3F Caractéristiques

Référence fabricant 1SS367,H3F
Numéro de pièce future FT-1SS367,H3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
1SS367,H3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 10V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 100mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 500mV @ 100mA
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 20µA @ 10V
Capacité @ Vr, F 40pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SC-76, SOD-323
Package d'appareils du fournisseur -
Température de fonctionnement - Jonction 125°C (Max)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1SS367,H3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 1SS367,H3F-FT

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