Référence fabricant | 1N916B |
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Numéro de pièce future | FT-1N916B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N916B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 20mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N916B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N916B-FT |
BAS3005A02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
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BAS 16-02V E6327
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BAS 3005A-02V E6327
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LCMXO2280E-3TN100I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
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5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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