Référence fabricant | 1N828 |
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Numéro de pièce future | FT-1N828 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N828 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N828 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N828-FT |
1N4691UR-1
Microsemi Corporation
1N821AUR-1
Microsemi Corporation
1N821UR-1
Microsemi Corporation
1N825AUR
Microsemi Corporation
1N827AUR
Microsemi Corporation
1N829AUR
Microsemi Corporation
JAN1N3338B
Microsemi Corporation
1N4962
Microsemi Corporation
1N4964
Microsemi Corporation
1N4971
Microsemi Corporation
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel