maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N6622US
Référence fabricant | 1N6622US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6622US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6622US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 660V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | A-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6622US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6622US-FT |
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UES1305SM
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.