Référence fabricant | 1N6392 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6392 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6392 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 54A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6392 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6392-FT |
PMEG030V050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG040V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG040V050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG060V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V080ELPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG45A10EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T050EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T100EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EPDAZ
Nexperia USA Inc.
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel