maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6385-E3/51
Référence fabricant | 1N6385-E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6385-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
1N6385-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 17.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 21.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 60A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6385-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6385-E3/51-FT |
1.5KE440A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE47AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE480A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE510A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE51AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE51CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE540A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE56AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE56CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE6.8AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel