maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6382HE3/51
Référence fabricant | 1N6382HE3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6382HE3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6382HE3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 9.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 100A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382HE3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6382HE3/51-FT |
1N6269AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6270AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6271AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6274AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation