maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6382-E3/73
Référence fabricant | 1N6382-E3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6382-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
1N6382-E3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 9.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 100A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382-E3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6382-E3/73-FT |
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel