maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6377-E3/73
Référence fabricant | 1N6377-E3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6377-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
1N6377-E3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 17.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 20.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 60A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6377-E3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6377-E3/73-FT |
1N6272A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel