maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6377-E3/51
Référence fabricant | 1N6377-E3/51 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6377-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
1N6377-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 17.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 20.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 60A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6377-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6377-E3/51-FT |
1N6271AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel