maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6373-E3/51
Référence fabricant | 1N6373-E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6373-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
1N6373-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 7.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 160A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | 1.5KE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6373-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6373-E3/51-FT |
1.5KE160CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE16AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE16CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE170AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE170CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE180CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE18AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE18CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE200AHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KE200CAHE3_A/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M2GL025-VFG400I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C8L
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
EP20K200BC356-1
Intel