maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6365
Référence fabricant | 1N6365 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6365 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6365 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 9.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 100A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6365 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6365-FT |
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
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1N5654
Microsemi Corporation
1N5654A
Microsemi Corporation
1N5655
Microsemi Corporation
1N5656
Microsemi Corporation
1N5657
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel