maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6365
Référence fabricant | 1N6365 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6365 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6365 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 9.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 100A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6365 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6365-FT |
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
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1N5654
Microsemi Corporation
1N5654A
Microsemi Corporation
1N5655
Microsemi Corporation
1N5656
Microsemi Corporation
1N5657
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel