maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6365
Référence fabricant | 1N6365 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6365 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6365 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 9.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 100A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6365 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6365-FT |
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
Microsemi Corporation
1N5654
Microsemi Corporation
1N5654A
Microsemi Corporation
1N5655
Microsemi Corporation
1N5656
Microsemi Corporation
1N5657
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel