maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6361
Référence fabricant | 1N6361 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6361 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6361 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 18V |
Tension - Panne (Min) | 21.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 25.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 50A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6361 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6361-FT |
1N5648
Littelfuse Inc.
1N5648A
Microsemi Corporation
1N5649
Microsemi Corporation
1N5649A
Microsemi Corporation
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
Microsemi Corporation
1N5654
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation