maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6361
Référence fabricant | 1N6361 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6361 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6361 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 18V |
Tension - Panne (Min) | 21.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 25.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 50A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6361 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6361-FT |
1N5648
Littelfuse Inc.
1N5648A
Microsemi Corporation
1N5649
Microsemi Corporation
1N5649A
Microsemi Corporation
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
Microsemi Corporation
1N5654
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel