maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6163US
Référence fabricant | 1N6163US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6163US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6163US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 56V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 67.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 108.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 13.9A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6163US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6163US-FT |
1N6134A
Semtech Corporation
1N6135
Semtech Corporation
1N6135A
Semtech Corporation
1N6136
Semtech Corporation
1N6136A
Semtech Corporation
1N6137
Semtech Corporation
1N6137A
Semtech Corporation
1N6138AUS
Semtech Corporation
1N6138US
Semtech Corporation
1N6139
Semtech Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel