maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6162US
Référence fabricant | 1N6162US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6162US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6162US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 51.7V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 61.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 98V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 15.3A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6162US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6162US-FT |
1N6133
Semtech Corporation
1N6133A
Semtech Corporation
1N6134
Semtech Corporation
1N6134A
Semtech Corporation
1N6135
Semtech Corporation
1N6135A
Semtech Corporation
1N6136
Semtech Corporation
1N6136A
Semtech Corporation
1N6137
Semtech Corporation
1N6137A
Semtech Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel